例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。通风和空调 （HVAC） 设备、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。涵盖白色家电、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，每个部分包含一个线圈，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，负载是否具有电阻性，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，此外，在MOSFET关断期间，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。供暖、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。模块化部分和接收器或解调器部分。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。航空航天和医疗系统。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

此外，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以满足各种应用和作环境的特定需求。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，